Z链研究员｜胡泽松编辑｜LZ
Flash、DRAM、MCU三大产品线头部供应商“兆易创新”，它年核心要素和价值发生了什么变化？
一、成长性是否保持？
年兆易创新营业收入85.10亿元，较年44.97亿元增长89.25%；归母净利润23.37亿元，较年8.81亿元增长.33%；2项数据均为历史新高。
净资产收益率19.44%，近5年低于年26.27%、年22.25%；净利率27.46%、毛利率46.54%均为历史最高值。
年10股派发现金红利10.6元，分红率30.28%，年现金分红率29.32%。
二、年重要事项、要素、本质有什么变化？
1.与长鑫存储关联交易13.03亿元，保障顺利切入DRAM储存器利基市场
长鑫存储董事长为兆易创新实控人朱一明，因此为关联方，关联交易金额13.03亿元较年增长.55%。
长鑫存储是中国领先的DRAM芯片公司，年兆易创新与其密切合作，积极切入DRAM存储器利基市场，6月推出首款自有品牌DRAM产品，由长鑫提供稳定产能保障。
2.重点发力MCU市场，产量增长.16%、收入增长.36%
年MCU产品成为兆易创新业绩增长最快产品线，全年营收24.56亿元，同比增长.36%。MCU产品已成功量产35个系列约种型号，满足高、中、低端各市场的需求。
兆易创新不断演进并丰富“MCU百货商店”的定位与内涵，开拓高性能产品(包括高性能M7产品、多核高性能产品)、超低功耗系列MCU等。
3.组建第四届董事会，9人组成，朱一明仍为核心
董事长朱一明，副董事长舒清明，董事何卫、程泰毅、张帅、王志伟，独立董事钱鹤、梁上上、张克东；另聘副总经理兼董事会秘书李晓燕、副总经理兼财务负责人孙桂静。
三、三张表怎么样、有什么变化？
资产负债表：
1.年货币资金65.98亿元，较年73.62亿元减少10.38%。
2.年应收票据及账款3.78亿元，较年2.35亿元增长60.74%，主要因为积极备货导致采购额增加，存货及应付供应商款均增加。
3.年存货14.49亿元，较年7.39亿元增长96.00%；存货周转率4.16次，较年增长0.04次。
4.年固定资产8.10亿元，较年6.94亿元增长16.59%。
5.年在建工程0.02亿元，较年0.17亿元减少85.09%。
6.年商誉10.25亿元，较年11.81亿元减少13.18%，主要因为上海思立微电子科技有限公司资产组商誉评估减值损失约1.56亿元。
7.年应付票据及账款6.17亿元，较年4.23亿元增长45.83%。
8.年净资产.83亿元，较年.94亿元增长26.08%。
9.年资产负债率12.55%，较年8.68%增长3.87个百分点。
10.年流动负债率82.77%，较年76.35%增长6.42个百分点。
利润表：
1.年营业成本45.49亿元，较年28.16亿元增长60.79%。
2.年销售费用2.21亿元，较年1.94亿元增长22.24%，主要因为人员规模增加、员工报酬增加、以及股权激励费用增加。
3.年管理费用3.91亿元，较年2.15亿元增长82.15%，之中利息收入增加约1.08亿元，汇兑损失减少0.73亿元。
4.年财务费用-1.21亿元，年为0.61亿元。
5.年研发费用8.42亿元，较年4.98亿元增长69.12%。
6.年销售费用率15.66%，较年21.51%下降5.85个百分点。
7.年净利率27.46%，较年19.58%增长7.88个百分点。
8.年毛利率46.54%，较年37.38%增长9.16个百分点。
现金流量表：
1.经营性现金流22.62亿元，较年10.60亿元增长.46%。
2.投资性现金流-32.79亿元，年为3.18亿元，主要因为年末尚有24亿元本金还未到期及新增对外股权投资流出约6.1亿元。
3.筹资性现金流2.33亿元，较年41.25亿元减少94.35%，主要包括年收到新授予限制性股票和期权行权的员工投资款约5.28亿元、支付2.66亿元年现金股利，以及年收到非公开发行募集资金到账42.84亿元。
4.现金及现金等价物增加净额-8.07亿元，年为53.90亿元。
5.净现比0.97次，年为1.20次。
四、战略上、产业上有什么变化？
兆易创新以成为全球领先的芯片设计公司为目标，致力于给更多客户提供包括存储器、MCU、传感、边缘计算、连接等多样化的芯片产品，以及相应算法、软件在内的一整套系统及解决方案；持续在销售规模、产品深度和广度发展核心竞争力；采取Fabless模式，坚持轻资产策略，同时布局多元化供应链体系，聚焦技术创新，进一步提升核心技术，重点拓展工业、汽车领域战略合作及生态布局。
1.在产品线规划、下游应用领域扩展、市场区域开发等方面坚持多元化布局。
2.持续完善丰富产品线，构筑技术壁垒、提高技术和产品协同效应。
3.适应现有产品特点，采用Fabless运营模式以充分利用半导体产业链资源，集中主要精力用于产品研发和技术迭代，紧跟激烈的市场竞争环境，快速调整、快速发展。
4.发挥各产品线协同效应，提供包括存储、控制、传感、边缘计算、连接等芯片以及相应算法、软件在内的一整套系统及解决方案，并据此形成技术壁垒。
5.引入BLM(BusinessLeadershipModel)战略管理体系，与全面预算、组织绩效管理相结合，促进跨组织的战略目标一致性管理，提升执行层面的协作能力。
五，产能、产品有什么变化？
年兆易创新多产品线赛道布局效果显现，业绩快速增长：存储器方面Flash业务稳定增长，DRAM自研产品量产突破，开始贡献营收；MCU业务抓住智能化终端需求、市场紧缺和国产替代的不可逆趋势趁势而上，PMIC等新产品围绕MCU为客户提供整体解决方案；传感器实现营收明显增长，市场占有率有所提高。
1.年储存新品产量35.21亿颗，同比增长32.47%，MCU产量4.74亿颗增长.16%，传感器产量1.94亿颗增长36.08%。
2.持续在NORFlash市场发力，中大容量NORFlash客户群和覆盖面扩大，需求稳定并有望进一步提升;汽车和工业方向正在成为NORFlash增长最快的应用领域。
3.首款自有品牌DRAM产品于年6月推出，已在主流消费类平台获得认证，并在诸多客户端量产使用。
4.推出低功耗MCU系列产品，适合于电池供电系统，如工业表计、测试类的仪器、对能效要求较高的便携式应用等；无线MCU产品，实现对IoT云端的连通，应用于智能家电、IoT智能终端。
5.完善MCU生态协同，量产电机驱动芯片(目前主要应用于电动工具、机器人、工业自动化三相BLDC和PMSM电机)和电源管理芯片(目前主要应用TWS耳机、便携医疗设备等)。
6.积极推进40nm车规级MCU产品量产，已流片并进入客户测试，主要面向通用车身市场。
7.规划高性能MCU，主要面向工业自动化、能源电力、安防消防等主流工业应用。
8.产品容量和工艺节点方面，NORFlash产品提供Kb至2Gb大容量的全系列产品，55nm先进制程工艺已全线量产，年末55nmNORFlash出货量占比超过40%。NANDFlash产品38nm、24nm工艺节点实现量产并完成1Gb~8Gb主流容量覆盖。
9.车规产品方面，GD25/55、GD5F全系列产品通过AEC-Q车规级认证，实现了从SPINORFlash到SPINANDFlash车规级产品全面布局。目前兆易创新车规级Flash产品已在国内外多家知名汽车企业批量采用，可为车载辅助驾驶系统、车载通讯系统、车载信息及娱乐系统、电池管理系统、DVR、智能驾舱、T-BOX等应用提供大容量、高可靠性、性能优异的产品及解决方案。
10.传感器业务目前在LCD触控、电容指纹、光学指纹市场应用，在电容指纹领域实现显著的营收增长，市场占有率有所扩大；推出系列化的电容侧边指纹产品，适用于高中低端机；经过强化的自研算法，为用户提供更加系统化的传感器解决方案；即将推出OLED触控产品和新一代LCD触控产品处于行业领先地位，将用以满足消费电子、车载等市场需求。
11.布局AI和超声领域产品例如ToF、3D图像和血压监测等，满足手机、可穿戴、移动医疗、IoT等领域需求。
六、能力和技术有什么变化？
1.年兆易创新研发投入达到9.4亿元，约占营业收入11.05%，较年同期研发投入增长73.77%；技术人员占比达70.59%，员工学历结构持续提升，硕士及以上学历占比超过53%；已获得项授权专利，新申请项国内外专利，发明专利占71%，新获得项专利授权，发明专利占80%。
2.采用WLCSP封装，有效缩减芯片体积重量，满足市场日益增大的可穿戴电子产品对“轻、薄、小”的追求，并推出1.5mmx1.5mm的业界最小USON封装。
七，实际控制人有什么变化？
创始人朱一明仍为兆易创新实际控制人，直接持股7.94%，较年末减少0.6个百分点；年第一季度减持.16万股，减持后为6.86%，仍为第一大股东。
八、年或更远期有什么计划？
年兆易创新将持续加大技术和产品研发投入，提高存量市场占有率，把握新兴领域增量市场，在产品竞争力、市场开拓、供应链布局等方面不断优化提升。具体包括：
1.继续推进先进工艺制程迭代，助力大容量产品竞争力的进一步提升。
2.量产17nmDDR3产品并积极开展面向利基市场的DDR4产品研发，进一步丰富DRAM产品线，实现在利基产品市场的良好成长。
3.量产40nm车规级MCU并在通用车身市场应用外，分级分阶段逐步拓展ADAS、BMS等高门槛应用。
4.年MCU产品在工业领域销售占比持续增长，有望在年与消费类应用持平，成为公司MCU产品第一大营收来源。
5.年将持续升级指纹产品，推进OLEDTP、dToF开发，持续探索非手机领域触控和指纹的应用机会。
6.持续提升产品性能表现，扩展海内外市场，是未来重要的收入增长来源。
7.继续聚焦汽车行业需求，